MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-E3, VDSS 20 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 112mohm A con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 8V V y una tensión de fuente de drenaje de 20V V. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 2,5V V y 4,5V V respectivamente. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,1A A y una disipación de potencia máxima de 1,6W W. MOSFET tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21