MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247AC, config. Simple

Código RS:: 180-7345
Nº ref. fabric.:: SIHG47N65E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247AC, config. Simple

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125 +	4,774 €	119,35 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7345
Nº ref. fabric.:: SIHG47N65E-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	47A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-247AC
	Serie	E
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.072Ω
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	417W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	273nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Simple
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 47A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-247AC
	Serie E
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.072Ω
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 417W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 273nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Simple
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET DE canal N TO-247AC-3 de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 650V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 72mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 417W mW y una corriente de drenaje continua de 47A A. Tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Baja figura de mérito (FOM) Ron x QG

• Baja capacitancia de entrada (CISS)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• Reducción de pérdidas de conducción y conmutación

• Carga de compuerta ultrabaja (QG)

Aplicaciones

• Cargador de baterías

• Iluminación de balasto fluorescente

• Descarga de alta intensidad (HID)

• Controladores de motor

• Fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia (PFC)

• Energía renovable

• Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones

• inversores fotovoltaicos solares

• Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS probado