MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF820ASPBF, VDSS 500 V, ID 2.5 A, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8306
Nº ref. fabric.:
IRF820ASPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.79mm

Anchura

10.67 mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El IRF820AS de Vishay es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de drenaje a fuente (Vds) de 500 V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30 V. Dispone de encapsulado D2PAK (TO-263) e I2PAK (TO-262). Ofrece una resistencia de drenaje a fuente (RDS) de 3 ohmios a 10 VGS. Corriente de drenaje máxima de 17 A.

La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo

Mejora de la resistencia de la puerta, la avalancha y la dinámica dV/dt

Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas

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