MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 3.3 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8724
- Nº ref. fabric.:
- IRFR420APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8724
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N de Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 3 ohmios a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 83 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Correa efectiva especificada
• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico
• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
Aplicaciones
• Conmutación de alimentación de alta velocidad
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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