MOSFET Vishay, Tipo P-Canal IRFR9110TRPBF, VDSS 100 V, ID 3.1 A de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8745
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9110TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 180-8745
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9110TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC JS709A | ||
Longitud 6.22mm | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El IRFR9110 de Vishay es un MOSFET de potencia de canal P con una tensión de drenaje a fuente (Vds) de -100 V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20 V. Dispone de encapsulado DPAK (TO-252) e IPAK (TO-251). Ofrece una resistencia de drenaje a fuente (RDS) de 1,2 ohmios a 10 VGS.
Valor nominal dV/dt dinámico
Valor nominal de avalancha repetitiva
Montaje superficial
Enlaces relacionados
- MOSFET Vishay VDSS 100 V 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 500 V TO-220FP config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 500 V TO-220FP config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 400 V 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 400 V 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay VDSS 200 V 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 100 V TO-220FP config. Simple
