MOSFET DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 3.1 A, UDFN-2020, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2851
- Nº ref. fabric.:
- DMP2045UFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
285,00 €
(exc. IVA)
345,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 20 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,095 € | 285,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-2851
- Nº ref. fabric.:
- DMP2045UFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | UDFN-2020 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.09Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.29W | |
| Tensión directa Vf | -0.75V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado UDFN-2020 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.09Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.29W | ||
Tensión directa Vf -0.75V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de canal P doble está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Tamaño de PCB de 4mm2
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Enlaces relacionados
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V UDFN-2020 config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 30 V Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET DiodesZetex VDSS 30 V Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 30 V UDFN-2020 config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, UDFN-2020 de 6 pines
- MOSFET DiodesZetex VDSS 30 V UDFN-2020 config. Doble
