MOSFET DiodesZetex, N-Canal, VDSS 30 V, ID 6.5 A, UDFN-2020, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 246-6868
- Nº ref. fabric.:
- DMT3020UFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 246-6868
- Nº ref. fabric.:
- DMT3020UFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | UDFN-2020 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.86W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado UDFN-2020 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.86W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex es un MOSFET de modo de mejora de canal N doble, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y al mismo tiempo mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado U-DFN2020-6 y un perfil de 0,6 mm que lo convierte en ideal para aplicaciones de perfil bajo. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 30 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±12 V. Tiene un tamaño de PCB de 4 mm^2 Ofrece una tensión de umbral de puerta baja Proporciona una puerta protegida contra ESD
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