MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 3.8 A, UDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 182-6913
- Nº ref. fabric.:
- DMP2075UFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 182-6913
- Nº ref. fabric.:
- DMP2075UFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | UDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 137mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Tensión directa Vf | -0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 2.07mm | |
| Altura | 0.55mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado UDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 137mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Tensión directa Vf -0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 2.07mm | ||
Altura 0.55mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Low Profile, 0.6mm Max Height
ESD Protected Gate
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Load Switch
Power Management Functions
Portable Power Adaptors
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