MOSFET, N-Canal DiodesZetex DMN2450UFB4-7R, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 182-7146
- Nº ref. fabric.:
- DMN2450UFB4-7R
- Fabricante:
- DiodesZetex
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*precio indicativo
- Código RS:
- 182-7146
- Nº ref. fabric.:
- DMN2450UFB4-7R
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 900mW | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.05mm | |
| Anchura | 650μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 350μm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 900mW | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.05mm | ||
Anchura 650μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 350μm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Footprint of just 0.6mm2
– Thirteen Times Smaller than SOT23
0.4mm Profile – Ideal for Low Profile Applications
Low Gate Threshold Voltage
Fast Switching Speed
ESD Protected Gate
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Load Switch
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