MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHA100N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 188-4970
- Nº ref. fabric.:
- SIHA100N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
10,15 €
(exc. IVA)
12,282 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 996 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,075 € | 10,15 € |
| 20 - 48 | 4,57 € | 9,14 € |
| 50 - 98 | 4,33 € | 8,66 € |
| 100 - 198 | 4,06 € | 8,12 € |
| 200 + | 3,81 € | 7,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-4970
- Nº ref. fabric.:
- SIHA100N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 15.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.3mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 15.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - SIHA100N60E-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y control de potencia en sistemas eléctricos exigentes. Funciona como dispositivo de modo de mejora y se suministra en un encapsulado TO-220 de orificio pasante con tres contactos para un montaje en PCB sencillo. El componente está diseñado para usar donde se requiere un manejo de tensión robusto y un montaje práctico.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 12 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0,1 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 33 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia de 35 W permite un manejo de carga térmica sustancial
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C admite el uso a temperaturas elevadas
• La corriente de drenaje continua de 12 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0,1 Ω reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 33 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia de 35 W permite un manejo de carga térmica sustancial
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C admite el uso a temperaturas elevadas
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motores de alta tensión en equipos de automatización
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones elevadas
• Se utiliza para elementos de conmutación de inversores y convertidores industriales
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de relé y contactor en paneles de control
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones elevadas
• Se utiliza para elementos de conmutación de inversores y convertidores industriales
• Puede utilizarse para circuitos de controlador de relé y contactor en paneles de control
¿Qué método de montaje es necesario para una instalación fiable?
El dispositivo utiliza un estilo de montaje de orificio pasante en un cuerpo TO-220, lo que proporciona una conexión mecánica y térmica segura cuando se solda a una PCB y se atornilla opcionalmente a un disipador térmico a través de la pestaña del paquete.
¿Cómo afecta el rango de tensión de puerta al diseño de circuitos de control?
La potencia nominal máxima de puerta-fuente es de 30 V, por lo que las unidades de puerta deben permanecer dentro de este límite y normalmente funcionan con tensiones de nivel lógico comunes compatibles con el control de canal N en modo de mejora.
¿Qué temperaturas ambientales extremas puede tolerar durante el funcionamiento?
Está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos industriales de baja y alta temperatura.
¿Hay consideraciones normativas o de material para la eliminación o la reutilización?
El componente cumple la directiva RoHS, lo que indica el uso restringido de determinadas sustancias peligrosas en su fabricación.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines