MOSFET STMicroelectronics, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
188-8292
Nº ref. fabric.:
STGP8NC60KD
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

2.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.75mm

Estándar de automoción

No

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

Lower on voltage drop (VCE(sat))

Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)

Short circuit withstand time 10μs

Applications

High frequency motor controls

SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies

Motor drivers

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