MOSFET STMicroelectronics STGP8NC60KD, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8476
- Nº ref. fabric.:
- STGP8NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
6,98 €
(exc. IVA)
8,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 28 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,698 € | 6,98 € |
| 100 - 490 | 0,58 € | 5,80 € |
| 500 - 990 | 0,572 € | 5,72 € |
| 1000 - 4990 | 0,565 € | 5,65 € |
| 5000 + | 0,558 € | 5,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-8476
- Nº ref. fabric.:
- STGP8NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Tensión directa Vf | 2.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.75mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Tensión directa Vf 2.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.75mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
Lower on voltage drop (VCE(sat))
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Short circuit withstand time 10μs
Applications
High frequency motor controls
SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
Motor drivers
Enlaces relacionados
- MOSFET STMicroelectronics TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 18.5 A TO-220 3 pines 30 V
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines