MOSFET STMicroelectronics STGP8NC60KD, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8476
- Nº ref. fabric.:
- STGP8NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8476
- Nº ref. fabric.:
- STGP8NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 2.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 2.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
Lower on voltage drop (VCE(sat))
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Short circuit withstand time 10μs
Applications
High frequency motor controls
SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
Motor drivers
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