- Código RS:
- 189-0401
- Nº ref. fabric.:
- NTPF190N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
950 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
3,944 €
(exc. IVA)
4,772 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
5 + | 3,944 € | 19,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 189-0401
- Nº ref. fabric.:
- NTPF190N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 35 nC)
Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Capacitancia optimizada
Typ. RDS(on) = 161 mΩ
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Menor pérdida de conmutación
Menor pérdida de conmutación
Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones
Informática
Consumo
Industriales
Productos finales
Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola
Telecomunicaciones / Servidor
Balasto/iluminación LED
Adaptador
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 35 nC)
Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 467 pF)
Capacitancia optimizada
Typ. RDS(on) = 161 mΩ
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Menor pérdida de conmutación
Menor pérdida de conmutación
Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones
Informática
Consumo
Industriales
Productos finales
Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola
Telecomunicaciones / Servidor
Balasto/iluminación LED
Adaptador
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 190 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 36 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
Longitud | 10.63mm |
Ancho | 4.9mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 34 nC a 10 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 16.12mm |
Tensión de diodo directa | 1.3V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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