MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed C3M0075120K, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 192-3375
- Nº ref. fabric.:
- C3M0075120K
- Fabricante:
- Wolfspeed
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 192-3375
- Nº ref. fabric.:
- C3M0075120K
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | C3M | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 19 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 113.6W | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 23.6mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie C3M | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 19 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 113.6W | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 23.6mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Wolfspeed extiende su liderazgo en tecnología SiC al introducir Advanced SiC MOSFET en el nuevo encapsulado discreto de baja inductancia. Los paquetes recién lanzados permiten a los ingenieros aprovechar al máximo la capacidad de alta frecuencia de los últimos chips C3MTM planos MOSFET. Los diseñadores pueden reducir el recuento de componentes pasando de topologías basadas en silicio de tres niveles a topologías de dos niveles más sencillas posibles gracias al rendimiento de conmutación mejorado. Este dispositivo presenta una baja resistencia en combinación con una carga de puerta baja, lo que lo convierte en ideal para topologías PFC trifásicas sin puente, así como convertidores y cargadores de CA-CA.
Mínimo de 1200V Vbr en todo el rango de temperatura de funcionamiento
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
>8mm de distancia entre el drenaje y la fuente
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar
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