MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

Código RS:: 192-3519
Nº ref. fabric.:: C3M0075120K
Fabricante:: Wolfspeed

MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:: 192-3519
Nº ref. fabric.:: C3M0075120K
Fabricante:: Wolfspeed

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Wolfspeed
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1200V
	Serie	C3M
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	75mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	113.6W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	19 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	53nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	4.5V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	23.6mm
	Anchura	5.21 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	16.13mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Wolfspeed
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V
	Serie C3M
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 113.6W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 19 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 4.5V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 23.6mm
	Anchura 5.21 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 16.13mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

Wolfspeed extiende su liderazgo en tecnología SiC al introducir Advanced SiC MOSFET en el nuevo encapsulado discreto de baja inductancia. Los paquetes recién lanzados permiten a los ingenieros aprovechar al máximo la capacidad de alta frecuencia de los últimos chips C3MTM planos MOSFET. Los diseñadores pueden reducir el recuento de componentes pasando de topologías basadas en silicio de tres niveles a topologías de dos niveles más sencillas posibles gracias al rendimiento de conmutación mejorado. Este dispositivo presenta una baja resistencia en combinación con una carga de puerta baja, lo que lo convierte en ideal para topologías PFC trifásicas sin puente, así como convertidores y cargadores de CA-CA.

Mínimo de 1200V Vbr en todo el rango de temperatura de funcionamiento

Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador

>8mm de distancia entre el drenaje y la fuente

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida

Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)

Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)

Fácil de usar en paralelo y de accionar

MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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