MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMYS7D3N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 52 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 30 unidades)*

17,22 €

(exc. IVA)

20,85 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5820 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
30 +0,574 €17,22 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
195-2537
Nº ref. fabric.:
NVMYS7D3N04CLTWG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVMYS7D3N04CL

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.15mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar pérdidas de controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

Estos dispositivos no contienen plomo

Enlaces relacionados