MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 38 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
195-2545
Nº ref. fabric.:
NVMYS010N04CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NVMYS010N04CL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.25mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

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