MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STWA75N60DM6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 195-2678
- Nº ref. fabric.:
- STWA75N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 195-2678
- Nº ref. fabric.:
- STWA75N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 72 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión directa (Vf) | 1.6 V | |
| Altura | 21.1 mm | |
| Longitud | 15.9 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 36 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 446 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 72 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión directa (Vf) 1.6 V | ||
Altura 21.1 mm | ||
Longitud 15.9 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 36 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 446 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Anchura 5.1 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) * area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Enlaces relacionados
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 600 V TO-247 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STW52NK25Z ID 52 A config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STW10N95K5 ID 8 A config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STW6N120K3 ID 6 A config. Simple
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines