MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQD10950E_GE3, VDSS 250 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
200-6792
Nº ref. fabric.:
SQD10950E_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-252

Serie

SQD10950E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

62W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

2.38 mm

Altura

10.41mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Vishay SQD10950E_GE3 es un MOSFET de 175 °C de canal N de automoción 250V (D-S).

MOSFET de potencia TrenchFET®

Encapsulado con baja resistencia térmica

100 % Rg y prueba UIS

Certificación AEC-Q101

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