MOSFET, N-Canal Vishay SQD10950E_GE3, VDSS 250 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 200-6793
- Nº ref. fabric.:
- SQD10950E_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 200-6793
- Nº ref. fabric.:
- SQD10950E_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | SQD10950E | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 10.41mm | |
| Anchura | 2.38mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie SQD10950E | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 10.41mm | ||
Anchura 2.38mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Vishay SQD10950E_GE3 es un MOSFET de 175 °C de canal N de automoción 250V (D-S).
MOSFET de potencia TrenchFET®
Encapsulado con baja resistencia térmica
100 % Rg y prueba UIS
Certificación AEC-Q101
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