MOSFET Infineon IMW120R030M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 56 A, PG-TO247-3 de 3 pines

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Código RS:
201-2808
Nº ref. fabric.:
IMW120R030M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

56 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.200 V

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,056 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.7V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

Serie

CoolSiC

El MOSFET Infineon de SiC de 30 mo se ha construido sobre un estado del proceso de semiconductor Trench que ha ayudado a combinar rendimiento y fiabilidad. Se puede utilizar en soluciones para sistemas de energía solar, carga de tensión de electrones, fuente de alimentación ininterrumpida (SAI), fuentes de alimentación, control de motores y unidades y muchas otras aplicaciones.

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