Transistor MOSFET onsemi NTTFD9D0N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 38 A, WQFN12 de 12 pines

Código RS:: 202-5721
Nº ref. fabric.:: NTTFD9D0N06HLTWG
Fabricante:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi NTTFD9D0N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 38 A, WQFN12 de 12 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 20/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

1,473 €

(exc. IVA)

1,782 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 75	1,473 €	36,825 €
100 - 475	1,134 €	28,35 €
500 - 975	1,05 €	26,25 €
1000 - 2975	1,023 €	25,575 €
3000 +	0,998 €	24,95 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5721
Nº ref. fabric.:: NTTFD9D0N06HLTWG
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet - NTTFD9D0N06HLTWG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de canal N doble simétrico DE on Semiconductor incluye dos MOSFET de canal N especializados en un encapsulado doble. El nodo de conmutación se ha conectado internamente para permitir una colocación y enrutamiento sencillos de convertidores reductores síncronos. Se utiliza en aplicaciones de punto de carga de uso general, comunicaciones e informática.

Encapsulado de baja inductancia
Menores pérdidas de conmutación
En conformidad con RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	38 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	WQFN12
Serie	NTTF
Conteo de Pines	12
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Número de Elementos por Chip	1

Transistor MOSFET onsemi NTTFD9D0N06HLTWG, VDSS 60 V, ID 38 A, WQFN12 de 12 pines

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