MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVHL040N120SC1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
202-5745
Nº ref. fabric.:
NVHL040N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NVH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

174W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.87mm

Altura

20.25mm

Anchura

4.82 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1.200 V, 40 mohm, TO247-3L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.

Certificación AEC Q101

100% sometido a pruebas UIL

Baja capacitancia eficaz de salida

En conformidad con RoHS

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