MOSFET, N-Canal Texas Instruments CSD19531Q5A, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, VSONP de 8 pines

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Código RS:
208-8485
Nº ref. fabric.:
CSD19531Q5A
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NexFET

Encapsulado

VSONP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

5.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.8mm

Estándar de automoción

No

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