MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR826LDP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 86 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-5005
Nº ref. fabric.:
SiR826LDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiR826LDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.15mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

90nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8 con una corriente de drenaje de 86 A.

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