MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiRA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5009
- Nº ref. fabric.:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
10,86 €
(exc. IVA)
13,14 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5340 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,086 € | 10,86 € |
| 100 - 240 | 1,032 € | 10,32 € |
| 250 - 490 | 0,782 € | 7,82 € |
| 500 - 990 | 0,706 € | 7,06 € |
| 1000 + | 0,677 € | 6,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-5009
- Nº ref. fabric.:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiRA74DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46.2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiRA74DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46.2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 40 V (D-S) 150 °C tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Ajustado para el FOM RDS-QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
La relación Qgd/QGS < 1 optimiza las características de conmutación
Optimizado para soldadura por ola
Los cables flexibles aumentan la resistencia a la flexión de la placa
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 8 pines