MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS26LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 81.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-5033
Nº ref. fabric.:
SISS26LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

81.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSS26LDN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31.5nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.78mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 60 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)

Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM

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