MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STW68N65DM6-4AG, VDSS 650 V, ID 72 A, TO-247-4 de 4 pines

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Código RS:
210-8748
Nº ref. fabric.:
STW68N65DM6-4AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

650 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

72 A

Encapsulado

TO-247-4

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

39 mΩ

Tipo de montaje

Orificio pasante

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.

Designed for automotive applications

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Zener-protected

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