MOSFET STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG, VDSS 650 V, ID 72 A, TO-247-4 de 4 pines

STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida Mesh DM6. En comparación con la generación rápida Mesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una mejora excelente en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.

Diseñado para aplicaciones de automoción
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto fuente de accionamiento adicional
Protección Zener