MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9229
- Nº ref. fabric.:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9229
- Nº ref. fabric.:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10H4M6SPS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10H4M6SPS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
DiodesZetex serie DMTH10H4M6SPS es un MOSFET de canal N diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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