MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMTH10H4M6SPS-13, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PowerDI5060 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9230
- Nº ref. fabric.:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,742 € | 8,71 € |
| 50 - 95 | 1,494 € | 7,47 € |
| 100 - 245 | 1,306 € | 6,53 € |
| 250 - 995 | 1,278 € | 6,39 € |
| 1000 + | 1,066 € | 5,33 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 213-9230
- Nº ref. fabric.:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10H4M6SPS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10H4M6SPS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
DiodesZetex serie DMTH10H4M6SPS es un MOSFET de canal N diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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