MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4402
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
12,78 €
(exc. IVA)
15,46 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2140 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,639 € | 12,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4402
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial.
Cuenta con una cartera totalmente optimizada
Tiene un coste de montaje más bajo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines