MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
214-4402
Nº ref. fabric.:
IPN80R1K4P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Altura

1.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial.

Cuenta con una cartera totalmente optimizada

Tiene un coste de montaje más bajo

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