MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4410
- Nº ref. fabric.:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,123 € | 56,15 € |
| 100 - 200 | 1,092 € | 54,60 € |
| 250 - 450 | 1,064 € | 53,20 € |
| 500 - 950 | 1,036 € | 51,80 € |
| 1000 + | 1,01 € | 50,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4410
- Nº ref. fabric.:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.4mm | |
| Anchura | 15.93 mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.4mm | ||
Anchura 15.93 mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
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