MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP200N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-4412
Número de artículo Distrelec:
304-31-967
Nº ref. fabric.:
IPP200N15N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.4mm

Longitud

10.2mm

Anchura

15.93 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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