MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 82 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4443
- Nº ref. fabric.:
- IRF2807STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 800 unidades)*
627,20 €
(exc. IVA)
759,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 800 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,784 € | 627,20 € |
| 1600 + | 0,744 € | 595,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4443
- Nº ref. fabric.:
- IRF2807STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 82A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 82A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon HEXFET Power utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja se combina con la velocidad de conmutación rápida y la resistencia el diseño del dispositivo proporciona un dispositivo fiable y eficiente
Es totalmente avalancha nominal