MOSFET, N-Canal Infineon BSC0502NSIATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
214-8975
Nº ref. fabric.:
BSC0502NSIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9nC

Tensión directa Vf

0.65V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35mm

Longitud

5.49mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

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