MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ025N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-8986
Nº ref. fabric.:
BSZ025N04LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

126A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.35mm

Altura

1.2mm

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

No

Las familias Infineon 40V y 60V no solo cuentan con el R DS(on) más bajo del sector, sino también con un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad.

100 % a prueba de avalancha

Resistencia térmica superior

Optimizado para rectificación síncrona

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