MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 214-8985
- Nº ref. fabric.:
- BSZ025N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-8985
- Nº ref. fabric.:
- BSZ025N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 126A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 126A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Anchura 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Las familias Infineon 40V y 60V no solo cuentan con el R DS(on) más bajo del sector, sino también con un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad.
100 % a prueba de avalancha
Resistencia térmica superior
Optimizado para rectificación síncrona
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