MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 42 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2571
- Nº ref. fabric.:
- IRF1310NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,763 € | 610,40 € |
| 1600 + | 0,725 € | 580,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2571
- Nº ref. fabric.:
- IRF1310NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 14.173in | |
| Certificaciones y estándares | EIA 418 | |
| Altura | 1.197in | |
| Anchura | 1.079 in | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 14.173in | ||
Certificaciones y estándares EIA 418 | ||
Altura 1.197in | ||
Anchura 1.079 in | ||
Estándar de automoción No | ||
El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2pack es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz hasta HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia de conexión posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2pack es adecuado para aplicaciones de alta corriente gracias a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.
Tecnología de procesos avanzados
Valor nominal de avalancha total
Conmutación rápida