MOSFET Infineon IRF1310NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 42 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2pack es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz hasta HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia de conexión posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2pack es adecuado para aplicaciones de alta corriente gracias a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.

Tecnología de procesos avanzados
Valor nominal de avalancha total
Conmutación rápida