MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 42 A, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

5.430,00 €

(exc. IVA)

6.570,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 08 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +1,81 €5.430,00 €

*precio indicativo

Código RS:
249-6873
Nº ref. fabric.:
AUIRFR2407TRL
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

AUIRFS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon incorpora las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología planar avanzada

Baja resistencia de conexión

Valor nominal dinámico dv/dt

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Enlaces relacionados