MOSFET Infineon IRF8910TRPBF, VDSS 20 V, ID 10 A, SO-8 de 8 pines

Código RS:: 215-2590
Nº ref. fabric.:: IRF8910TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF8910TRPBF, VDSS 20 V, ID 10 A, SO-8 de 8 pines

3400 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,647 €

(exc. IVA)

0,783 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 100	0,647 €	16,175 €
125 - 225	0,615 €	15,375 €
250 - 600	0,589 €	14,725 €
625 - 1225	0,563 €	14,075 €
1250 +	0,524 €	13,10 €

*precio indicativo

Código RS:: 215-2590
Nº ref. fabric.:: IRF8910TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IRF8910TRPBF

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 20V en un encapsulado SO-8. Tiene aplicación como MOSFET SO-8 doble para convertidores POL en ordenadores de sobremesa, servidores, tarjetas gráficas, consolas de juegos y descontibiadores.

Sin plomo
Baja RDS(on)
Impedancia de puerta ultrabaja
MOSFET doble de canal N

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SO-8
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.0134 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.55V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IRF8910TRPBF, VDSS 20 V, ID 10 A, SO-8 de 8 pines

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