MOSFET, N-Canal Infineon IRF7854TRPBF, VDSS 80 V, ID 10 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9322
- Nº ref. fabric.:
- IRF7854TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
3,55 €
(exc. IVA)
4,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2700 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,71 € | 3,55 € |
| 50 - 120 | 0,588 € | 2,94 € |
| 125 - 245 | 0,554 € | 2,77 € |
| 250 - 495 | 0,512 € | 2,56 € |
| 500 + | 0,496 € | 2,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9322
- Nº ref. fabric.:
- IRF7854TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.4mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.4mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de 80 V de canal n en un encapsulado SO 8. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz