MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC0602NLSATMA1, VDSS 80 V, ID 66 A, SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
232-6749
Nº ref. fabric.:
ISC0602NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

66A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.5mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.35mm

Anchura

1.2 mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 80 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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