MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2806
- Nº ref. fabric.:
- IRF7351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2806
- Nº ref. fabric.:
- IRF7351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 8 A - IRF7351TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para la conmutación y el control de potencia de montaje en superficie en conjuntos compactos. Funciona en un rango de temperatura ampliado adecuado para entornos hostiles y se suministra en un encapsulado SO-8 para procesos de montaje automatizados.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 17,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción para la conmutación de alta corriente
• Los 60 V Vds permiten el funcionamiento en etapas de potencia de tensión moderada
• El ID 8A admite un suministro de corriente continua considerable
• El 36nC Qg mejora el control de conmutación para el diseño de circuito de accionamiento
• La Pd de 2 W limita la tensión térmica en diseños de PCB restringidos
• Los 60 V Vds permiten el funcionamiento en etapas de potencia de tensión moderada
• El ID 8A admite un suministro de corriente continua considerable
• El 36nC Qg mejora el control de conmutación para el diseño de circuito de accionamiento
• La Pd de 2 W limita la tensión térmica en diseños de PCB restringidos
Aplicaciones
• Apto para etapas de potencia SMD de alta corriente
• Ideal para aplicaciones extremas de electrónica de automoción
• Se utiliza con módulos de motor-controlador compactos
• Se puede utilizar para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Apto para implementaciones de interruptor de carga de montaje en superficie
• Ideal para aplicaciones extremas de electrónica de automoción
• Se utiliza con módulos de motor-controlador compactos
• Se puede utilizar para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Apto para implementaciones de interruptor de carga de montaje en superficie
¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observarse?
La puerta no debe superar los 20 V con respecto a la fuente para evitar daños.
¿Cómo afecta el rango térmico a las opciones de despliegue?
El dispositivo funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos de temperatura extendida.
¿Qué método de montaje es necesario para este componente?
Está diseñado para montaje en superficie en un tamaño SO-8 para soldadura automatizada.
¿Qué modo de conducción de canal se implementa?
El transistor funciona en modo de mejora con conducción de canal de tipo N.
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