MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
273-2806
Nº ref. fabric.:
IRF7351TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de Infineon es de potencia, HEXFET, de canal N y 60 V. Este MOSFET se utiliza para sistemas de accionamiento de motor de baja potencia y para convertidores de CC a CC aislados.

Impedancia de puerta ultrabaja

Puerta nominal máxima de 20 V VGS

Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas

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