MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 1.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
262-6735
Nº ref. fabric.:
IRF7465TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Altura

1.75mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon tiene una carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación. Es adecuado para usar con convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas

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