MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 6.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 262-6737
- Nº ref. fabric.:
- IRF7473TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 262-6737
- Nº ref. fabric.:
- IRF7473TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4mm | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon tiene ventajas como baja corriente de accionamiento de puerta gracias a la característica de carga de puerta mejorada, mayor resistencia de avalancha y dv/dt dinámico y tensión y corriente de avalancha completamente caracterizada.
Resistencia de conexión ultrabaja
Conmutación de alta velocidad
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