MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 6.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
262-6737
Nº ref. fabric.:
IRF7473TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

26mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.75mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon tiene ventajas como baja corriente de accionamiento de puerta gracias a la característica de carga de puerta mejorada, mayor resistencia de avalancha y dv/dt dinámico y tensión y corriente de avalancha completamente caracterizada.

Resistencia de conexión ultrabaja

Conmutación de alta velocidad

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