MOSFET, N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Código RS:: 273-2805
Nº ref. fabric.:: IRF7351TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:: 273-2805
Nº ref. fabric.:: IRF7351TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	17.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	36nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado SO-8
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

COO (País de Origen):: PH

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 8 A - IRF7351TRPBF

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para la conmutación y el control de potencia de montaje en superficie en conjuntos compactos. Funciona en un rango de temperatura ampliado adecuado para entornos hostiles y se suministra en un encapsulado SO-8 para procesos de montaje automatizados.

Características y ventajas:

• La Rds(on) de 17,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción para la conmutación de alta corriente
• Los 60 V Vds permiten el funcionamiento en etapas de potencia de tensión moderada
• El ID 8A admite un suministro de corriente continua considerable
• El 36nC Qg mejora el control de conmutación para el diseño de circuito de accionamiento
• La Pd de 2 W limita la tensión térmica en diseños de PCB restringidos

Aplicaciones

• Apto para etapas de potencia SMD de alta corriente
• Ideal para aplicaciones extremas de electrónica de automoción
• Se utiliza con módulos de motor-controlador compactos
• Se puede utilizar para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Apto para implementaciones de interruptor de carga de montaje en superficie

¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observarse?

La puerta no debe superar los 20 V con respecto a la fuente para evitar daños.

¿Cómo afecta el rango térmico a las opciones de despliegue?

El dispositivo funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos de temperatura extendida.

¿Qué método de montaje es necesario para este componente?

Está diseñado para montaje en superficie en un tamaño SO-8 para soldadura automatizada.

¿Qué modo de conducción de canal se implementa?

El transistor funciona en modo de mejora con conducción de canal de tipo N.