MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
217-2604
Nº ref. fabric.:
IRF7458TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

4.9mm

Altura

1.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.9 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon 30V de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado SO-8.

Impedancia de puerta ultrabaja

RDS(on) muy baja

Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza

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