MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7465TRPBF, VDSS 150 V, ID 1.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 262-6736
- Número de artículo Distrelec:
- 304-41-668
- Nº ref. fabric.:
- IRF7465TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,376 € | 9,40 € |
| 125 - 225 | 0,357 € | 8,93 € |
| 250 - 600 | 0,342 € | 8,55 € |
| 625 - 1225 | 0,327 € | 8,18 € |
| 1250 + | 0,218 € | 5,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 262-6736
- Número de artículo Distrelec:
- 304-41-668
- Nº ref. fabric.:
- IRF7465TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon tiene una carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación. Es adecuado para usar con convertidores dc-dc de alta frecuencia.
Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
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