MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 217-2606
- Nº ref. fabric.:
- IRF7469TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2606
- Nº ref. fabric.:
- IRF7469TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon 40V de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado SO-8.
Impedancia de puerta ultrabaja
RDS(on) muy baja
Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza
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