MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1.396,00 €

(exc. IVA)

1.688,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 4000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
4000 +0,349 €1.396,00 €

*precio indicativo

Código RS:
217-2606
Nº ref. fabric.:
IRF7469TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

4.9mm

Altura

1.75mm

Anchura

3.9 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon 40V de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado SO-8.

Impedancia de puerta ultrabaja

RDS(on) muy baja

Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza

Enlaces relacionados

Recently viewed